型号:

SPB04N60C3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SPB04N60C3 PDF
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 950 毫欧 @ 2.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.9V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 490pF @ 25V
功率 - 最大 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SPB04N60C3INDKR
相关参数
SPB04N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
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IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
HDSP-0981 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM RDP HI PERF GRN
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
HDSP-0881 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM RDP YELLOW
HDSP-0791 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM RDP HIBRIGHT HER
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
HDSP-0782 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM LDP LOW PWR HER
BSO080P03S H Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
HDSP-0781 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM RDP LOW PWR HER
BSO080P03S H Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
HDSP-0792 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 NUM LDP HIBRIGHT HER
HDSP-0883 Avago Technologies US Inc. DISPL 4X7 OVERRANGE +/-1 BCD YW
BSO080P03S H Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
HDSP-0983 Avago Technologies US Inc. DISPLAY 4X7 OVER RANGE +/-1 GRN
BSO080P03S Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
HDSP-0783 Avago Technologies US Inc. DISPL 4X7 OVERRANGE +/-1 BCD HER
BSO080P03S Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
HCMS-2351 Avago Technologies US Inc. LED DISPLAY 5X7 4CHAR 5MM YLW